iPhone 11系列于上周正式开售，在网友们刚刚平息了对“浴霸式”摄像头和5G功能吐槽后，其发热问题又引发热议。有网友称，iPhone 11运行存在发热严重问题，位置主要集中在摄像头下方附近和开机键附近。

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有媒体认为，iPhone 11系列的A13仿生芯片以及主板设计问题导致了过热现象。iPhone 11 采用的是仿生A13 处理器，虽然较上一代处理器性能提升了20%，但发热量也随之上升。iPhone 11系列采用的双层主板设计也不利于散热，双层主板的内部结构比较紧凑而导致散热空间不足，该设计使其自身的散热性存在“天然不足”。

苹果第三方维修服务商GeekBar表示，iPhone 11处于部分场景下会温度明显升高。比如，在激活、导入导出数据时会发热；长时间相机拍照时会变得温热；而在其他场景下没有温度过高的表现。

另据媒体表示，iPhone 11摄像头附近发热，是由于拍照预览同时启动了三颗摄像头的准备工作，导致CPU负荷加大。

此外，信号问题同样是iPhone 11系列的软肋之一，虽然苹果公司与高通正式和解，但iPhone 11系列仍搭载的是英特尔XMM7660基带芯片。该基带相比去年iPhone XS系列搭载的旧款在性能方面略有提升，但性能却依然弱于高通基带。因此，iPhone 11系列还是没有能够解决信号弱的问题。

（综合自北京青年报、金融界、快科技）